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本(ben)文重點介紹近些年(nian)微波電(dian)路(lu)設(she)計取(qu)得(de)的進步，這(zhe)意味著現(xian)在采用硅芯片(pian)技術中(zhong)的低相位噪聲 VCO 可以覆蓋一(yi)個倍頻程范圍(wei)
多年來，微波頻率生成使工程師面臨嚴峻的挑戰，不僅需要對模擬、數字、射頻(RF)和微波電子有深入的了解，尤其是鎖相環(PLL)和壓控振蕩器(VCO)集成電路組件方面，還需要具備可調濾波、寬帶放大以及增益均衡等專業知識。
本文重點介紹近些(xie)年微(wei)(wei)波(bo)電路設計取得的進步，這意味著現(xian)在(zai)采用硅芯片技術中的低相位噪聲 VCO 可以(yi)覆蓋(gai)一個倍頻程(cheng)范(fan)圍。在(zai)這樣的 IC 上集成(cheng)輸出分頻器(qi)可以(yi)支(zhi)持(chi)幾(ji)個低頻倍頻程(cheng)范(fan)圍，輸出集成(cheng)倍頻器(qi)則支(zhi)持(chi)單(dan)個 IC 生成(cheng)高達 32 GHz 的頻率(lv)(lv)(lv)。隨著小數 N 分頻 PLL 頻率(lv)(lv)(lv)合成(cheng)器(qi)技術的進步，現(xian)在(zai)微(wei)(wei)波(bo)頻率(lv)(lv)(lv)范(fan)圍 rms 抖動可低至 60fs，具備無限小的頻率(lv)(lv)(lv)分辨率(lv)(lv)(lv)和(he)(he)極小的雜散(san)信號。低插入損(sun)耗寬帶濾波(bo)器(qi)可以(yi)和(he)(he)這些(xie)集成(cheng) PLL/VCO IC 配合使(shi)用，以(yi)提高整個系(xi)統的頻譜性能，大大降低了微(wei)(wei)波(bo)和(he)(he)毫米波(bo)本地振蕩(dang)器(qi)帶來(lai)的相關挑戰。
簡介
本地振蕩器(LO)是現代通信、汽車、工業和儀器儀表應用中的關鍵組件。無論從基帶到 RF 實施上變頻還是反過來的下變頻，為汽車雷達、材料檢測應用生成掃頻，或者為上述應用電路的構建和測試而開發儀器儀表，我們生活的很多方面都存在 LO。電路和工藝技術的進步已幫助降低了此類電路的成本、復雜性和面積；與過去需要更廣泛地混合使用有源和無源技術相比，現代集成電路大大降低了 LO 的設計難度。
過去，適用于 GSM 等 2G 通(tong)信應用的(de)大部分 LO 都使(shi)用與(yu) ADI 公司(si)的(de) ADF4106 類似的(de)整數 N 分頻(pin) PLL，以及(ji)窄帶 T 封裝 VCO（例如 VCO190-1846T）。在(zai)大多數情況下，這些 VCO 的(de)高品質因素(Q)使(shi)其(qi)非常易于滿足(zu)該嚴(yan)苛標準(zhun)下的(de)相位(wei)噪聲規格。那時的(de)手機一(yi)般只支持一(yi)種無線標準(zhun)，標準(zhun)本(ben)身的(de)數據(ju)速率也有限（雖然 2G 網絡(luo)出色的(de)覆蓋(gai)率幫(bang)助手機獲得了(le)廣泛的(de)市場認可）。基(ji)站 LO 一(yi)般是使(shi)用多種 IC 和(he) VCO 子模塊(kuai)組合而成的(de)模塊(kuai)，如圖 1 所示。
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