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對性能、小型化(hua)和(he)更高(gao)(gao)頻(pin)率的(de)(de)需(xu)(xu)求，正挑戰無線(xian)系統(tong)中(zhong)兩個關鍵天線(xian)連接元器(qi)(qi)件的(de)(de)限制：功率放大器(qi)(qi)(PA) 和(he)低噪聲放大器(qi)(qi)(LNA)。5G 的(de)(de)發展以及(ji) PA 和(he) LNA 在(zai)微波無線(xian)電鏈路(lu)、VSAT（衛星通信(xin)系統(tong)）和(he)相控陣雷達系統(tong)中(zhong)的(de)(de)使(shi)用正促成這種轉變。這些(xie)應用的(de)(de)要求包括較低噪聲（對于(yu)(yu) LNA）和(he)較高(gao)(gao)能效（對于(yu)(yu) PA）以及(ji)在(zai)高(gao)(gao)達或(huo)高(gao)(gao)于(yu)(yu) 10 GHz 的(de)(de)較高(gao)(gao)頻(pin)率下的(de)(de)運行(xing)。為了滿足這些(xie)日益(yi)增長的(de)(de)需(xu)(xu)求，LNA 和(he) PA 制造商正在(zai)從傳統(tong)的(de)(de)全(quan)硅工藝轉向用于(yu)(yu) LNA 的(de)(de)砷化(hua)鎵(GaAs) 和(he)用于(yu)(yu) PA 的(de)(de)氮化(hua)鎵(GaN)。
本文將介紹(shao) LNA 和 PA 的作用和要求及其主(zhu)要特性(xing)，然后介紹(shao)典型(xing)的 GaAs 和 GaN 器(qi)件以(yi)及利(li)用這(zhe)些器(qi)件進(jin)行(xing)設計時(shi)的注意事(shi)項。
LNA 的靈敏作用
LNA 的作用是(shi)從天(tian)線獲取極其微弱(ruo)的不(bu)確定信(xin)號(hao)，這(zhe)些信(xin)號(hao)通常(chang)是(shi)微伏數量級的信(xin)號(hao)或者低于 -100 dBm，然后將該信(xin)號(hao)放(fang)大至一個更有用的水平，通常(chang)約為 0.5 到 1 V（圖 1）。具體(ti)來看，在 50 Ω 系統(tong)中(zhong) 10 μV 為 -87 dBm，100 μV 等(deng)于 -67 dBm。
利用(yong)現代電子技術可以(yi)輕(qing)松實現這樣的(de)增益，但 LNA 在(zai)微弱的(de)輸入(ru)信號中加入(ru)各種噪(zao)聲時，問(wen)題將(jiang)遠不(bu)是那么簡單(dan)。LNA 的(de)放(fang)大優(you)勢會在(zai)這樣的(de)噪(zao)聲中*消失。
圖 1：接(jie)收路(lu)徑(jing)的(de)(de)低(di)噪聲放大器(qi)(LNA) 和發送路(lu)徑(jing)的(de)(de)功率放大器(qi)(PA) 經由雙工(gong)器(qi)連接(jie)到(dao)天線，雙工(gong)器(qi)分開兩(liang)個信號，并防止相對(dui)強大的(de)(de) PA 輸出使靈敏的(de)(de) LNA 輸入過載。（圖片來(lai)源：Digi-Key Electronics）
注意，LNA 工作在(zai)一個充滿未(wei)知的世界(jie)中。作為(wei)收發(fa)通(tong)道的前端，LNA 必須能(neng)捕捉并(bing)放大相關(guan)帶寬(kuan)內功耗極(ji)低(di)的低(di)電壓信(xin)(xin)號以(yi)及天線造成的相關(guan)隨機(ji)噪聲。在(zai)信(xin)(xin)號理論(lun)中，這(zhe)種情況稱作未(wei)知信(xin)(xin)號 / 未(wei)知噪聲難(nan)題(ti)，是所有信(xin)(xin)號處理難(nan)題(ti)中最難(nan)的部分。
LNA 的(de)(de)(de)主要參數是噪(zao)(zao)聲(sheng)系數(NF)、增益(yi)和(he)線(xian)性(xing)度。噪(zao)(zao)聲(sheng)來自熱(re)源及其它噪(zao)(zao)聲(sheng)源，噪(zao)(zao)聲(sheng)系數的(de)(de)(de)典(dian)型值為 0.5 - 1.5 dB。單級(ji)放大器(qi)的(de)(de)(de)典(dian)型增益(yi)在(zai) 10 - 20 dB 之間(jian)。有一些設計采用(yong)在(zai)低增益(yi)、低 NF 級(ji)后加一個更高增益(yi)級(ji)的(de)(de)(de)級(ji)聯放大器(qi)，這種設計可(ke)能達到較高的(de)(de)(de) NF，不(bu)過一旦初始信號已(yi)經“增大”，這樣做就(jiu)變得不(bu)那么重要。（有關(guan) LNA、噪(zao)(zao)聲(sheng)和(he)射頻接收(shou)器(qi)的(de)(de)(de)詳細內容，請(qing)參閱(yue) TechZone 中《低噪(zao)(zao)聲(sheng)放大器(qi)可(ke)以最大限度地(di)提升接收(shou)器(qi)的(de)(de)(de)靈敏度》一文。）
LNA 的(de)(de)另一個問(wen)題是非(fei)(fei)線(xian)性(xing)(xing)度(du)，因(yin)為合成諧(xie)波和(he)互(hu)調失真可使(shi)接收(shou)到的(de)(de)信(xin)號(hao)質量惡(e)化，在位誤差率(lv)(BER) 相(xiang)當低時使(shi)得信(xin)號(hao)解(jie)調和(he)解(jie)碼變(bian)得更加困難。通常用三階(jie)交(jiao)調點(dian)(IP3) 作為線(xian)性(xing)(xing)度(du)的(de)(de)特(te)征化參(can)數(shu)，將三階(jie)非(fei)(fei)線(xian)性(xing)(xing)項引起的(de)(de)非(fei)(fei)線(xian)性(xing)(xing)乘積與以線(xian)性(xing)(xing)方式放大(da)的(de)(de)信(xin)號(hao)關聯在一起；IP3 值(zhi)越(yue)高，放大(da)器性(xing)(xing)能(neng)的(de)(de)線(xian)性(xing)(xing)度(du)越(yue)好。
功(gong)耗(hao)和(he)能(neng)效在 LNA 中(zhong)通(tong)常不屬于首要問題。就本質而言，絕大多(duo)數 LNA 是功(gong)耗(hao)相當(dang)低(di)且電流(liu)消耗(hao)在 10 - 100 mA 之間的(de)器(qi)件，它們(men)向下一級提(ti)供電壓增益，但不會向負(fu)載輸送(song)功(gong)率。此外，系統(tong)中(zhong)僅采(cai)用一個(ge)或者兩個(ge) LNA（后者常用于 Wi-Fi 和(he) 5G 等接口的(de)多(duo)功(gong)能(neng)天(tian)線設計中(zhong)），因此通(tong)過低(di)功(gong)耗(hao) LNA 節(jie)能(neng)的(de)意義不大。
除工作頻率和(he)帶寬(kuan)(kuan)外，各(ge)種 LNA 相對來講在功能(neng)上非常相似。一些 LNA 還具(ju)有增益控制(zhi)功能(neng)，因此(ci)能(neng)夠應(ying)對輸入信號(hao)的寬(kuan)(kuan)動(dong)態(tai)范圍(wei)，而不會(hui)出(chu)現(xian)過(guo)載、飽和(he)。在基站至手機通道(dao)損(sun)耗(hao)范圍(wei)寬(kuan)(kuan)的移動(dong)應(ying)用(yong)中，輸入信號(hao)強(qiang)度變化范圍(wei)如(ru)此(ci)之寬(kuan)(kuan)的情(qing)況會(hui)經常遇到，即(ji)使單連接循環也是(shi)如(ru)此(ci)。
輸入信(xin)號到(dao) LNA 的(de)(de)路由以及來自其(qi)輸出信(xin)號與元器件(jian)本身的(de)(de)規格(ge)一(yi)樣重要。因(yin)此，設計(ji)人員必(bi)須使用(yong)復雜的(de)(de)建模和布局工具來實現 LNA 的(de)(de)全部潛在性能。由于布局或阻抗匹配不佳，優(you)質元器件(jian)可能容易(yi)劣化，因(yin)此務(wu)必(bi)要使用(yong)供應商提供的(de)(de)史(shi)密斯(si)圓(yuan)圖（參見“史(shi)密斯(si)圓(yuan)圖：射頻(pin)設計(ji)中(zhong)依舊(jiu)至關重要的(de)(de)一(yi)個‘古老(lao)’圖形(xing)工具”），以及支持(chi)仿真(zhen)和分析軟件(jian)的(de)(de)可靠電路模型。
由于這些(xie)原因(yin)，幾(ji)乎所(suo)有(you)在 GHz 范(fan)圍內工作的高性能(neng) LNA 供應(ying)商均(jun)會提供評估(gu)板或經過驗證(zheng)的印刷電路板布局(ju)，因(yin)為測試(shi)設置(zhi)的每個方面(mian)都至關重(zhong)要，包括布局(ju)、連接器、接地(di)、旁路和電源(yuan)。沒有(you)這些(xie)資源(yuan)，設計(ji)人員就需要浪費時間(jian)來評估(gu)元器件在其應(ying)用中的性能(neng)。
基于 GaAs 的(de)(de)(de) LNA 的(de)(de)(de)一個(ge)代表是 HMC519LC4TR。這(zhe)是一種來自 Analog Devices 的(de)(de)(de) 18 到 31 GHz pHEMT（假(jia)晶高電子遷移率晶體管）器件（圖 2）。這(zhe)種無引線(xian) 4×4 mm 陶瓷表面貼裝(zhuang)封裝(zhuang)可提(ti)(ti)供 14 dB 的(de)(de)(de)小信號增益，以及 3.5 dB 的(de)(de)(de)低噪聲系數和+ 23 dBm 的(de)(de)(de)高 IP3。該器件可從(cong)單個(ge)+3 V 電源提(ti)(ti)取 75 mA 電流。
圖 2：HMC519LC4TR GaAs LNA 為 18 至 31 GHz 的低電平輸入提供低噪(zao)聲增益；大多(duo)數封裝連接(jie)用(yong)于電源(yuan)軌、接(jie)地或(huo)不(bu)使用(yong)。（圖片來源(yuan)：Analog Devices）
從簡單(dan)的功能(neng)框圖(tu)到具有不同(tong)值和類型(xing)的多個外部(bu)電容器都需要一個設計進程(cheng)，提供適當的射頻(pin)旁路，在三(san)個電源(yuan)軌(gui)饋(kui)電上具有低(di)寄(ji)生效(xiao)應，為 Vdd（圖(tu) 3）。
圖(tu) 3：在實際應用(yong)中，HMC519LC4TR LNA 在其(qi)電源軌上(shang)需要多個額定電壓相同的旁路(lu)電容(rong)(rong)器，以提供用(yong)于低頻濾(lv)波的大電容(rong)(rong)以及用(yong)于射頻旁路(lu)的較(jiao)小值電容(rong)(rong)，從而(er)一定程度地減少射頻寄生效應。（圖(tu)片來源：Analog Devices）
根據此增強(qiang)原理圖生成評(ping)估板，詳細說明布局和 BOM，包括(kuo)非 FR4 印刷電路板材料的使用（圖 4(a) 和 4(b)）。
圖 4(a)
圖 4(b)
圖(tu)(tu) 4：考慮到這(zhe)些 LNA 前端工(gong)作的(de)高(gao)頻率和(he)它們必須(xu)捕(bu)獲的(de)低電(dian)平信號，一個詳細(xi)且(qie)經測試的(de)評估(gu)設計至(zhi)關重要。其(qi)中(zhong)包括一份(fen)原理(li)圖(tu)(tu)（未顯示）、電(dian)路板布(bu)局(a) 和(he) BOM，及無源元(yuan)器件(jian)和(he)印刷電(dian)路板材(cai)料(b) 的(de)細(xi)節。（圖(tu)(tu)片來源：Analog Devices）
MACOM MAAL-011111 是用于(yu)更高頻率的(de) GaAs LNA，可支(zhi)持 22 至 38 GHz 運行（圖 5）。該器件(jian)可提供 19 dB 的(de)小信號增(zeng)益和 2.5 dB 的(de)噪聲系數。此 LNA 表面上是一個單級(ji)器件(jian)，但其內部實際(ji)有三個級(ji)聯級(ji)。第一級(ji)針對低噪聲和中等增(zeng)益進行了優化，后續級(ji)別提供額(e)外增(zeng)益。
圖(tu) 5：對用戶來(lai)說，MAAL-011111 LNA 表(biao)面上是一個單(dan)級放大(da)器，但其內部使用了一系列增(zeng)益(yi)級，旨在大(da)化輸入到輸出信號路徑(jing) SNR，同時在輸出端增(zeng)加顯著增(zeng)益(yi)。（圖(tu)片來(lai)源：MACOM）
與(yu) Analog Devices 的(de)(de) LNA 類似，MAAL-011111 只需(xu)(xu)要一個低壓電(dian)(dian)源，且尺寸僅為 3×3 mm，極為小巧。用戶可以通過將偏置（電(dian)(dian)源）電(dian)(dian)壓設置在 3.0 和 3.6 V 之間的(de)(de)不同(tong)值來調整(zheng)和權(quan)衡某些性(xing)能規格。建(jian)議電(dian)(dian)路(lu)板(ban)布局顯示保持適當的(de)(de)阻抗匹配和地平面性(xing)能所需(xu)(xu)的(de)(de)關鍵(jian)印刷電(dian)(dian)路(lu)板(ban)銅皮尺寸（圖 6）。
圖 6：建議的布局，充分利用(yong)了 MACOM 的 MAAL-011111，同(tong)時提供輸(shu)入和輸(shu)出阻(zu)抗(kang)匹配。注意，對于阻(zu)抗(kang)控制型傳輸(shu)線以及低阻(zu)抗(kang)地平面，使(shi)用(yong)印(yin)刷電路板銅皮（尺(chi)寸以毫米(mi)為(wei)單位）。（圖片(pian)來源：MACOM）
PA 驅動天線
與 LNA 困難的(de)信(xin)號(hao)(hao)捕(bu)獲挑戰相反，PA 則是(shi)從電路中(zhong)獲取相對強的(de)信(xin)號(hao)(hao)，具有很高(gao)的(de) SNR，且必須用來(lai)提高(gao)信(xin)號(hao)(hao)功率。與信(xin)號(hao)(hao)有關的(de)所(suo)有通(tong)用系數均已(yi)知，如(ru)幅值、調(diao)制、波形、占(zhan)空比等。這就(jiu)是(shi)信(xin)號(hao)(hao)處理圖(tu)中(zhong)的(de)已(yi)知信(xin)號(hao)(hao) / 已(yi)知噪聲象(xiang)限(xian)，是(shi)最容(rong)易(yi)應對的(de)。
PA 的(de)主要參數為相關(guan)頻率下(xia)的(de)功(gong)率輸出，其典型增益在+10 至(zhi)+30 dB 之間。能(neng)效是(shi) PA 參數中僅次于增益的(de)又(you)一關(guan)鍵參數，但是(shi)使用模型、調制、占空比、允許失真(zhen)度以及(ji)受驅信號的(de)其它方面(mian)會使任何能(neng)效評估(gu)變(bian)得復雜。PA 的(de)能(neng)效在 30 到 80% 之間，但這在很(hen)大程度上是(shi)由多種因(yin)素決(jue)定(ding)的(de)。線性度也(ye)是(shi) PA 的(de)關(guan)鍵參數，與在 LNA 一樣(yang)用 IP3 值判定(ding)。
盡管許多 PA 采用低功(gong)(gong)(gong)耗(hao) CMOS 技術（最(zui)高約(yue) 1 至 5 W），但在(zai)最(zui)近幾年里，其(qi)它技術業已發展(zhan)成(cheng)熟(shu)并被廣泛(fan)應用，在(zai)考慮(lv)將(jiang)能效作為(wei)電池續(xu)航(hang)時間和散熱的(de)(de)關鍵指標(biao)的(de)(de)更(geng)高功(gong)(gong)(gong)率(lv)水平的(de)(de)情(qing)況(kuang)(kuang)下，尤(you)其(qi)如此。在(zai)需要幾個瓦(wa)特或(huo)更(geng)高功(gong)(gong)(gong)率(lv)的(de)(de)情(qing)況(kuang)(kuang)下，采用氮化(hua)鎵(jia)(GaN) 的(de)(de) PA 在(zai)更(geng)高功(gong)(gong)(gong)率(lv)和頻率(lv)（典型值為(wei) 1 GHz）下具有更(geng)優的(de)(de)能效。尤(you)其(qi)是考慮(lv)到能效和功(gong)(gong)(gong)率(lv)耗(hao)散時，GaN PA 具成(cheng)本競爭力(li)。
Cree/Wolfspeed CGHV14800F（1200 到(dao) 1400 MHz，800 W 器件）是最(zui)新的一(yi)些基(ji)于 GaN 的 PA 代(dai)表。這種 HEMT PA 的能(neng)效、增(zeng)益和帶寬組合對(dui)脈沖 L 波段雷達放大器進(jin)行了(le)優化，使設計人員(yuan)能(neng)夠(gou)在空中(zhong)流量(liang)管制(ATC)、天氣、反導和目標跟(gen)蹤系(xi)統等(deng)應用中(zhong)找(zhao)到(dao)許(xu)多用途。使用 50 V 電源，提供(gong) 50% 及更高的典型能(neng)量(liang)轉(zhuan)換效率，并(bing)采用 10 ×20 mm 陶(tao)瓷封裝，帶有(you)用于冷(leng)卻的金(jin)屬法(fa)蘭（圖 7）。
圖 7：CGHV14800F 1200 至 1400 MHz，800 W，GaN PA 具有金屬法(fa)蘭(lan)的(de) 10 ×20 mm 陶瓷封裝必須同(tong)時滿足困(kun)難的(de)射頻和散熱(re)要求(qiu)。出(chu)于機械和熱(re)完(wan)整性考慮，注(zhu)意安裝法(fa)蘭(lan)時將封裝旋(xuan)緊（不焊接）到印刷電(dian)路板(ban)。（圖片來(lai)源：Cree/Wolfspeed）
CGHV14800F 采用(yong) 50 V 電源供電，通(tong)常(chang)提供 14 dB 的(de)功率(lv)增益，能量轉換效率(lv)> 65%。與 LNA 一樣，評估電路和參考設計至關重要（圖 8）。
圖 8：除了器(qi)件本身之外(wai)，為 CGHV14800F PA 提供的演(yan)示電路(lu)需要(yao)的元器(qi)件非常少，但(dan)物理布局和散熱考(kao)慮很關鍵；考(kao)慮安裝(zhuang)(zhuang)完(wan)整(zheng)性和熱目(mu)標，PA 通過封裝(zhuang)(zhuang)法蘭以(yi)螺(luo)(luo)釘和螺(luo)(luo)母（在底部，不(bu)可見）固(gu)定到板(ban)上。（圖片來源：Cree/Wolfspeed）
許(xu)多(duo)規格表和性能曲(qu)線(xian)中(zhong)同樣重要的(de)是(shi)功率耗散降額(e)曲(qu)線(xian)（圖 9）。該曲(qu)線(xian)顯(xian)示了(le)可用(yong)的(de)功率輸出(chu)額(e)定(ding)值(zhi)與外(wai)殼溫度的(de)關系，指示最大(da)允許(xu)功率是(shi)恒定(ding)的(de) 115°C，然后線(xian)性減小(xiao)到 150°C 的(de)最大(da)額(e)定(ding)值(zhi)。
圖 9：由于其(qi)在輸送(song)功率方(fang)面(mian)的作(zuo)用，需(xu)要 PA 降(jiang)(jiang)額曲(qu)線向設(she)計(ji)人員(yuan)顯示(shi)允許輸出功率隨(sui)著外殼溫度(du)的升高而降(jiang)(jiang)低。這里，額定(ding)功率在 115?C 之后(hou)迅(xun)速下(xia)降(jiang)(jiang)。（圖片(pian)來源：Cree/Wolfspeed）
MACOM 還提供了基于 GaN 的(de) PA，例(li)如 NPT1007 GaN 晶(jing)體管（圖 10）。其直流至 1200 MHz 的(de)頻率跨度(du)適用(yong)于寬(kuan)帶(dai)和窄帶(dai)射頻應用(yong)。該器件通常以(yi) 14 到 28 V 之間的(de)單電源工作，可在 900 MHz 提供 18 dB 的(de)小信(xin)號增益(yi)。該設計旨在耐受 10:1 SWR（駐波(bo)比）不匹配，且不會發(fa)生(sheng)器件退化(hua)。
圖(tu)(tu) 10：MACOM 的(de) NPT1007 GaN PA 跨越直(zhi)流到 1200 MHz 的(de)范(fan)圍，適用(yong)于(yu)寬帶和窄(zhai)帶射頻應用(yong)。設(she)計人(ren)員通過(guo)各種負(fu)載拉(la)伸圖(tu)(tu)獲得額(e)外(wai)支持。（圖(tu)(tu)片(pian)來源：MACOM）
除了顯示 500、900 和 1200 MHz 時性能基(ji)礎的圖外，NPT1007 還支持各種“負(fu)(fu)載拉伸”圖，為努力確保穩定產(chan)品（圖 11）的電路和系統設計人員提供幫(bang)助。負(fu)(fu)載拉伸測(ce)試使(shi)用成(cheng)對(dui)信號源和信號分析儀（頻譜(pu)分析儀、功率計或矢(shi)量接(jie)收(shou)器(qi)）完(wan)成(cheng)。
該測試要求看到被測設備(DUT) 的(de)阻抗變(bian)化(hua)，以評(ping)估 PA 的(de)性能(neng)（包括(kuo)諸如輸出功率、增益和能(neng)效等因(yin)素(su)），因(yin)為所(suo)有(you)相(xiang)關(guan)的(de)元器件值可能(neng)由于(yu)溫度(du)變(bian)化(hua)或由于(yu)圍繞其(qi)標稱值的(de)公差帶內的(de)變(bian)化(hua)而改變(bian)。
圖 11：NPT1007 PA 的負載(zai)拉伸圖超出了最小 / 最大(da) / 典型規格標(biao)(biao)準表，以在其負載(zai)阻抗偏離其標(biao)(biao)稱值（初始(shi)生產公(gong)差以及熱漂移會(hui)導致(zhi)實際使用(yong)中出現這種(zhong)情況）時(shi)顯示 PA 性(xing)能(neng)。（圖片來(lai)源：MACOM）
無論使(shi)用(yong)哪種 PA 工藝(yi)，器(qi)件(jian)的(de)(de)輸(shu)出(chu)阻抗(kang)均必須由供應商進(jin)行(xing)(xing)充分特(te)征化，使(shi)設計(ji)人員能將(jiang)該器(qi)件(jian)與天線正確匹配，實現(xian)(xian)最大的(de)(de)功率(lv)傳輸(shu)并(bing)盡可能保持 SWR 一致。匹配電(dian)(dian)路(lu)主要(yao)由電(dian)(dian)容器(qi)和電(dian)(dian)感器(qi)構(gou)成，并(bing)且可實現(xian)(xian)為分立器(qi)件(jian)，或者(zhe)制造(zao)為印刷電(dian)(dian)路(lu)板(ban)甚至產(chan)品封裝的(de)(de)一部分。其設計(ji)還必須維持 PA 功率(lv)水平。再次(ci)重(zhong)申，史密斯圓圖等工具的(de)(de)使(shi)用(yong)，是理解(jie)并(bing)進(jin)行(xing)(xing)必要(yao)的(de)(de)阻抗(kang)匹配的(de)(de)關鍵。
鑒于(yu) PA 較(jiao)小的(de)芯片尺寸(cun)和(he)較(jiao)高(gao)(gao)的(de)功率水平，封(feng)裝對 PA 來講是一個(ge)關鍵問題。如前所述(shu)，許多 PA 通過(guo)寬的(de)散熱(re)封(feng)裝引線和(he)法蘭支撐以(yi)及封(feng)裝下的(de)散熱(re)片散熱(re)，作(zuo)為到印刷電路(lu)板銅皮的(de)路(lu)徑(jing)。在(zai)(zai)較(jiao)高(gao)(gao)功率水平（約(yue)高(gao)(gao)于(yu) 5 至 10 W），PA 可(ke)以(yi)有(you)銅帽，使散熱(re)器可(ke)以(yi)安裝在(zai)(zai)頂(ding)部，并且可(ke)能需要風扇或其它先進(jin)的(de)冷(leng)卻技術。
GaN PA 相關(guan)的額定功(gong)率和(he)小尺寸意味著對熱環境建模至關(guan)重要。當然，將 PA 本身保持在(zai)允許(xu)的情況或結溫(wen)范(fan)圍內(nei)是不夠(gou)的。從 PA 散去的熱量不能給電路(lu)和(he)系統其它(ta)部分(fen)帶來(lai)問(wen)題。必(bi)須(xu)考慮處理和(he)解決整個熱路(lu)徑。
總結
從智(zhi)能(neng)手(shou)機到 VSAT 端子和相控陣雷達系統(tong)等基于(yu)射(she)頻的(de)系統(tong)正(zheng)在推(tui)動 LNA 和 PA 性能(neng)的(de)極(ji)限。這使得(de)器件(jian)制(zhi)造商(shang)不再局限于(yu)硅，而是探索 GaAs 和 GaN 以(yi)提供所(suo)需的(de)性能(neng)。
這(zhe)些新的(de)工藝技術(shu)為設計人員提供了(le)帶寬(kuan)更(geng)寬(kuan)、封裝(zhuang)更(geng)小、能效更(geng)高的(de)器件(jian)。不(bu)過，設計人員需要(yao)了(le)解 LNA 和 PA 運(yun)行的(de)基礎知識(shi)，才能有效地(di)應(ying)用這(zhe)些新技術(shu)。
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